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MOSFET de Carboneto de silício NVHL025N065SC1 onsemi

MOSFETs de potência são elementos essenciais no controle de cargas de potência como motores, solenoides, etc. A escolha de um componente para estas aplicações exige a observação das suas características, havendo uma infinidade de opções. A solução que apresentamos neste nosso destaque pode ser ideal para o seu projeto.

Figura 1 – TO−247−3LD, CASE 340CX

O MOSFET de potência NVHL025N065SC1

Os MOSFETs de carboneto de silício (SiC) onsemi NVHL025N065SC1 são MOSFETs EliteSiC de 25 mΩ e 650V que fornecem superior desempenho de comutação. O MOSFET onsemi NVHL025N065SC1 oferece maior confiabilidade em comparação ao silício e uma baixa resistência de condução (ON). O tamanho compacto do chip desses MOSFETs garante baixa capacitância e carga de gate. Os benefícios obtidos incluem alta eficiência, frequência de operação rápida, maior densidade de potência, EMI reduzida e tamanho reduzido do componente.

Na figura 1 temos as características típicas de condução deste componente a partir do datasheet do fabricante que pode ser acessado no link.

Figura 2 – Características na região de condução

No datasheet de 9 páginas podem ser obtidas todas as informações adicionais necessárias aos projetos que utilizem este componente;

Características do MOSFET NVHL025N065SC1

  • RDS(ligado) tip. = 19 mOhms @ VGS = 18 V
  • RDS(ligado) tip.= 25 mOhms @ VGS = 15 V
  • Carga de porta ultrabaixa (QG(tot) = 164 nC)
  • Baixa capacitância (Coss = 278 pF)
  • 100% testado em avalanche
  • Qualificado AEC-Q101 e compatível com PPAP
  • Este dispositivo é livre de Pb e é compatível com RoHS

Aplicações Típicas

  • Carregador automotivo integrado
  • Conversor DC/DC automotivo para EV/HEV

Saiba Mais sobre o MOSFET de Carboneto de silício NVHL025N065SC1 onsemi

Informações sobre este componente, incluindo o datasheet podem ser obtidas no site da Mouser em: onsemi NVHL025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

*Este post foi patrocinado pela Mouser Electronics

Licença Creative Commons Esta obra está licenciada com uma Licença Creative Commons Atribuição-CompartilhaIgual 4.0 Internacional.
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