Módulo MOSFET de potência Vishay Semiconductors VS-HOT200C080, 200 A, 80 V
O Módulo de potência VS-HOT200C080, 200 A, 80 V
Transistor MOSFET de potência fazem parte praticamente de todas as aplicações atuais em que correntes intensas e tensões elevadas são envolvidas. É ocaso de aplicações automotivas e também de micromobilidade. Na maioria dos casos, eles são necessários em mais de uma unidade, o que significa que a possibilidade de os obter em módulos significa economia de custos e de espaço. Isso é o que oferece o produto que focalizamos neste artigo e que está disponível na Mouser Electronics.
Mais sobre o módulo
O módulo MOSFET de potência Vishay Semiconductor VS-HOT200C080 (200 A, 80 V) é um dispositivo integrado que apresenta MOSFETs em configuração *half-bridge* com o melhor valor de RDS(ON) da categoria, acondicionado em um encapsulamento compacto FlatPAK HC0 do tipo *transfer-mold*. Este dispositivo possui uma tensão dreno-fonte (VDSS) de 80 V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 195 A a +80 °C. Para aumentar a eficiência, a baixa resistência de condução (*on-resistance*) dos MOSFETs do módulo reduz as perdas por condução em 32% em comparação com soluções concorrentes. O dispositivo reduz a necessidade de espaço na placa em até 15% em relação a soluções discretas padrão. O Vishay Semiconductor VS-HOT200C080 integra MOSFETs de 80 V em configuração *half-bridge*, um resistor *shunt* para medição de corrente, capacitores de *bypass* para melhorar o desempenho de comutação e um termistor NTC para monitoramento de temperatura.
Características
- Encapsulamento FlatPAK HC0 isolado (30 mm x 22,8 mm) fabricado por moldagem por transferência
- Tensão dreno-fonte de 80 V
- Resistência de condução (RDS(ON)) típica de 0,45 mΩ, Q1 (nível do chip)
- Corrente contínua de dreno de 195 A a +80 °C
- Inversor em meia-ponte
- Monitoramento de corrente e temperatura
- Substrato DBC exposto eletricamente isolado
- Snubber capacitivo (C) para baixa EMI
- Qualificado conforme as diretrizes AQG324
- Compatível com PPAP
- Composto epóxi com certificação UL 94V-0
Aplicações
- Eletrificação automotiva (geradores de partida por correia/sistemas de recuperação de energia para MHEVs)
- Micromobilidade (inversores de tração de 48 V)
Especificações
- Corrente pulsada de dreno (IDM) de 1050 A (TC = +25 °C, tp = 250 μs, forma de onda quadrada)
- Corrente pulsada de fonte (diodo de corpo) (ISM) de 1530 A (TC = +150 °C, tp = 1 ms, forma de onda quadrada)
- Dissipação de potência (PD) de 194 W (TC = +25 °C)
- Tensão porta-fonte (VGS) de ±20 V
- Carga total de porta (Qg) típica de 130 nC (ID = 80 A, VDS = 48 V, VGS = 0 V/10 V)
- Carga porta-fonte (Qgs) típica de 39 nC (ID = 80 A, VDS = 48 V, VGS = 0 V/10 V)
- Carga porta-dreno (“Miller”) (Qgd) típica de 24 nC (ID = 80 A, VDS = 48 V, VGS = 0 V/10 V)
- Faixa de temperatura de junção (TJ): -55 a +175 °C
- Faixa de temperatura de armazenamento (TStg): -40 a +150 °C
- Faixa de temperatura de operação (Top): -40 a +150 °C
Obtendo mais informações:
No link você pode obter mais informações sobre este produto e como obtê-lo por meio da Mouser Electronics: Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200A 80V Power MOSFET Module
*Este post foi patrocinado pela Mouser Electronics
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