O STP80N450K6 da STMicroelectronics é um MOSFET de potência de canal N de altíssima tensão projetado usando a última tecnologia MDmesh K6. Esta tecnologia é baseada em 20 anos de experiência da STMicroelectronics na tecnologia de superjunção. O resultado é a melhor resistência da classe por área e carga de porta para aplicações que exigem densidade de potência superior e alta eficiência.
O STP80N450K6 está disponível em invólucros TO-220, DFAK, IPAK e TO-220-FP. Veja figura 1 e datasheet pelo link.
Figura 1 – Invólucro TO-220
Os principais destaques deste componente são:
- Excelente RDS(on) x área
- Excelente FOM (figura de mérito)
- Carga de porta ultra-baixa
- 100% testado em avalanche
- Protegido por Zener
Um dos recursos mais significativos do MDmesh K6 é uma resistência dreno-fonte RDS(on) muito baixa, a melhor da categoria no invólucro DPAK. Isso permite passar de uma solução com encapsulamento de furo passante para uma solução SMD obtendo um design mais compacto e reduzindo a altura da placa. Conforme mostrado na Figura 2.
Com esta nova série foi obtida uma RDS(on) 60% mais baixa quando comparada à tecnologia anterior na mesma solução de invólucro.
A comparação de eficiência entre o MDmesh K6, a tecnologia anterior K5 e o melhor concorrente foi realizada em um driver de LED de 100W baseado na topologia flyback. A Figura 3 mostra como o MDmesh K6 apresenta uma eficiência melhor em relação aos outros dois dispositivos avaliados. Este resultado é consistente com os valores de potência durante o desligamento (Eoff) e temperatura do invólucro (Tc) relatados na Tabela 1, referentes ao nível máximo de carga de 100W.
Figura 3 – Comparação de eficiência
Para mais informações sobre o STP80N450K6 acesse o link: STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET
*Este post foi patrocinado pela Mouser Electronics
